国家/地区 美国（462） 中国（364） 世界知识产权组织（235） 韩国（206） 日本（156） 欧洲专利局（EPO）（136） 台湾（57） 印度（45） 德国（25） 俄罗斯（18） 英国（17） 新加坡（15） 加拿大（11） 法国（10） 澳大利亚（9） 香港（6） 巴西（5） 西班牙（5） 墨西哥（4） 波兰（4）
IPC部 B（792） H（792） C（373）
G（130） F（14） A（12）
D（5）
IPC大类 B82（792）
IPC小类 H01L（792）
IPC B82Y040/00（456） B82Y030/00（423） H01L029/16（187）
C01B031/04（149） C01B031/02（143） H01L021/02（140）
H01L029/06（129） B82Y010/00（124） H01L029/786（107）
B82Y099/00（96） H01L031/18（96） H01L021/336（84）
H01L029/66（78） H01L051/00（77） H01L029/78（73）
发明人 CHOI J（22） SHIN H（19） CHUNG H（17）
LEE J（17） ZHANG L（17） CHOI J Y（16）
KIM S（16） ZHANG Y（16） CHUNG H J（15）
HEO J（15） SHIN H J（15） LEE J H（14）
LIN Y（14） ZHANG X（14） HEO J S（13）
公开年 2013（113） 2012（94） 2014（86） 2022（76） 2021（71） 2015（58） 2011（57） 2018（44） 2016（42） 2017（41） 2020（41） 2023（26） 2010（18） 2019（14） 2009（10）
申请年 2012（116）  2011（93）  2013（80）  2021（77）  2014（64）  2020（62）  2015（46）  2016（40）  2022（40）  2017（38）  2010（37）  2019（31）  2018（29）  2009（26）  2008（6）  2023（6） 
专利权人 SAMSUNG ELEC.（76） INT BUSINESS.（49） TOSHIBA KK（20） FUJITSU LTD（17）
UNIV SUNGKYU.（16） UNIV SUNGKYU.（12） UNIV SINGAPO.（11） UNIV TSINGHU.（11）
HON HAI PREC.（10） NOKIA CORP（10） NOKIA TECHNO.（10） GLOBALFOUNDR.（8）
HONGFUJIN PR.（8） UNIV PEKING（8） UNIV CALIFOR.（7） UNIV FUDAN（7）
UNIV HANYANG.（7） UNIV SOUTH C.（7） INST MICROEL.（6） KOREA ADVANC.（6）

Branched nano-wire array composite photoelectric film used for photo cathode protection, has composite heterojunction system cadmium sulfide/reduced graphene oxide quantum dots/titanium dioxide branched nanowire array composite photoelectric film.

HOU B, LU G, SUN M, JIANG X

Preparing full two-dimensional short channel field-effect transistor in large-scale comprises e.g. covering spin-coat photoresist to surface of local dielectric layer, and evaporating metal electrode to form contact electrode on source.

YU D, LOU H, CAO Z, LIAO Z

Method for generating white light using white light-emitting quantum dots, involves mixing naphthalene and heteroatom co-doping compound, fabricating heteroatom co-doped graphene quantum dots from obtained mixture, and generating white light using obtained white-light emitting quantum dots.

SAGAR V K, BISHT P B

Manufacturing optical device by forming resist of predetermined shape on multilayer graphene, and processing multilayer graphene together with resist, removing resist covering, and providing electrode covering exposed inclined end face of multilayer graphene.

KONDO D, HAYASHI K, ASO H

Detection device with broadband photoelectric response, comprises thallium-nickel-selenide nanosheets, which are metal source and drain electrode layers, made by ultraviolet lithography and electron beam evaporation technology, and thallium nickel selenide nanosheet used as photosensitive element.

CHEN X, LI G, ZHANG L, ZHANG S, LIU C, HAN L

Fabricating graphene tunnel field effect transistor involves growing first layer on silicon carbide, where first layer comprises graphene, growing second layer over first layer, where second layer comprises graphene, forming source polarity gate metal over source region, drain polarity gate metal.

SHARMA R, PANDEY R, MADAN J, SHARMA P

Photo-induced pure spin flow Sawtooth graphene device has triangulation provided with left electrode, right electrode and middle area, where middle area is provided with head-to-head triangle alkene, and photoelectric nano device is to take middle area as axis.

HUANG X, DONG Y

Depositing graphene or graphene oxide onto substrate from gaseous source of carbon precursor involves using plasma-enhanced chemical vapor deposition method, where carbon precursor consists of ethylene and the process is carried out in absence of carrier gas.

JOUIAD M, EL MARSSI M, LEJEUNE M

Performing integration of vertically aligned carbon nanotubes into graphene as three-dimensional structure involves preparing colloid mixture of carbon nano tube and reduced graphene oxide by adding carbon nano tube and reduced graphene oxide separately in a suitable solvent.

VIDHYA B, SAKUNTHALA A, NANDHAKUMAR R, RAJESH S

Spin field effect transistor used for magnetic logic devices, has semiconductor layer arranged on substrate layer, dielectric layer arranged between source electrode and drain electrode, and gate electrode arranged on dielectric layer.

GU L, WANG X, YU S